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二硫化鉬納米片製備方法 - 鋰離子插層法

鋰離子插層法是採用插層劑,比如丁基鋰插入到二維的層狀納米材料中,增大材料的層間間距來減弱層間范德華力,然後超聲,最終得到少層甚至是單層的納米片。目前插層法主要有溶劑Li插層法,無溶劑Li插層法,電化學Li插入法和水熱輔助Li插層法。

鋰離子插層和MoS2

Bang等人採用N-甲基-2-吡咯烷酮為溶劑,鹼土金屬氫氧化物為插層劑,通過插層助剝離得到了高濃度的二維MoS2納米片。這種方法在剝離的過程中,鹼土金屬陽離子插入MoS2層間可以減弱層間的范德華力,再通過超聲,進一步提高了剝離的效率。實驗證明,陽離子半徑越小,剝離的效率就越高。

Zeng等利用電化學Li插入輔助剝離法,以Li箔作為陽極,MoS2粉末塗在銅箔真空中乾燥後作為陰極,乙基碳酸酯和碳酸二甲酯按品質1:1的比例溶于LiPF6作為電解液,在氬氣的氛圍下通入一定電流完成嵌入過程,通電插層過程完成後,清洗並超聲剝離,從而獲得厚度違約1.0nm,單層MoS2占92%以上的MoS2納米片。

鋰離子插層法具有很高的剝離效率,適用範圍廣,但是過程需要很久,鋰離子去除時容易引發MoS2聚集。其中,電化學Li插入輔助剝離法新穎,快捷,產量高而且產物的層數能較好的得到控制,但是電路裝置比較複雜,Li插入過程的電流和時間不容易控制。

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